模具之家讯：芯片分析手段有： 1C-SAM（超声波扫描显微镜),无损检查:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2.内部裂纹.3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等.德国PVA 2X－Ray（这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段），德国Feinfocus 3SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸）,日本电子 4EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC液晶热点侦测(这三者属于常用
芯片分析手段有：
1 C-SAM（超声波扫描显微镜),无损检查:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等. 德国PVA
2 X－Ray（这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段），德国Feinfocus
3 SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸）, 日本电子
4 EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测(这三者属于常用漏电流路径分析手段,寻找发热点，LC要借助探针台，示波器），
5 FIB做一些电路修改；
6 Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试，ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试（有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试，有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验）这些已经提到了多数常用手段。失效分析前还有一些必要的样品处理过程，取die,decap（开封，开帽）,研磨,去金球 De-gold bump,去层,染色等，有些也需要相应的仪器机台，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray观察封装内部情况以及分层失效。
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除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段，原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF － SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统，能量损失 X 光微区分析系统等很多手段，不过这些项目不是很常用。
FA步骤:
1 一般先做外观检查，看看有没有crack，burnt mark 什么的，拍照；
2 非破坏性分析：主要是超声波扫描显微镜（C-SAM）--看有没delamination，xray--看内部结构，等等；
3 电测：主要工具，万用表，示波器，sony tek370a，现在好象是370b了；
4 破坏性分析：机械decap，化学decap
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